физика полупроводниковых приборов микроэлектроники учебное пособие для вузов
Старосельский В.И. Физика полупроводниковых приборов микроэлектроники
Старосельский В.И. Физика полупроводниковых приборов микроэлектроники
Предисловие
В учебном пособии использованы материалы лекционных курсов «Элементы твердотельной электроники и микроэлектроники», «Физика полупроводниковых приборов» «Физика полупроводников и полупроводниковых приборов», а также факультативных курсов, прочитанных автором студентам МИЭТ (ТУ) на протяжении более 30 лет. Материалы дополнены новыми сведениями в области теории и проектирования полупроводниковых приборов с субмикронными размерами активных областей и приборов на новых полупроводниковых материалах микроэлектроники.¶
В то же время содержание учебного пособия по объему и глубине изложения выходит далеко за пределы учебных планов указанных направлений (специальностей). В книге нашли отражения также и результаты многочисленных научных исследований автора в области физики кремниевых и арсенидгаллиевых полупроводниковых приборов, в том числе МДП- и биполярных транзисторов, гетеропереходных полевых транзисторов, СВЧ приборов. Обладая разносторонними знаниями как в области физики, так и в области проектирования полупроводниковых приборов, автор при изложении материала обращает внимание на особенности использования изучаемого прибора в интегральных схемах, исследует предельные возможности приборов, большое внимание уделяет рассмотрению моделей приборов для схемотехнического применения.¶
К сожалению, автор не успел увидеть свою книгу изданной. Книга редактировалась уже после его скоропостижной кончины. Этим он лишил нас возможности проводить научные и методические дискуссии по вопросам, возникающим в процессе редактирования.¶
Физика полупроводниковых приборов, Лебедев А.И., 2008
Физика полупроводниковых приборов, Лебедев А.И., 2008.
Рассмотрены физические принципы работы наиболее важных классов современных полупроводниковых приборов: диодов, биполярных и полевых транзисторов, тиристоров, СВЧ приборов с отрицательным дифференциальным сопротивлением (диодов Ганна, лавинно-пролетных и инжекционно-пролетных диодов), приборов с зарядовой связью, оптоэлектронных приборов (фотоприемников, светодиодов, инжекционных лазеров и др.). Выведены основные теоретические соотношения, определяющие характеристики этих приборов. Большое внимание уделено описанию особенностей современных быстродействующих приборов с субмикронными и нанометровыми размерами, в том числе приборов, в работе которых используются гетеропереходы, квантовые ямы и квантовые точки. Помимо этого, в книге рассмотрены основы планарной технологии, описаны возникшие в последнее время технологические проблемы и указаны перспективные пути их решения.
Для студентов старших курсов, аспирантов и научных сотрудников, работающих в области физики полупроводников.
рекомендовано УМО по классическому университетскому образованию РФ в качестве учебного пособия для студентов ВУЗов, обучающихся по специальностям 010701 — «Физика», 010704 — «Физика конденсированного состояния вещества», 010803 — «Микроэлектроника и полупроводниковые приборы*.
Вольт-амперная характеристика тонкого р-n-перехода.
В этом разделе мы получим аналитическое выражение для вольт-амперной характеристики идеального р-n-перехода, которое было выведено Шокли в 1949 году [3).
Идеальным p-n-переходом называют такой переход, для которого выполняются следующие условия:
1) границы p-n-перехода резкие (то есть электрическое поле обращается точно в нуль на его краях);
2) полупроводник — невырожденный (к электронам и дыркам применима статистика Больцмана);
3) концентрация инжектированных неосновных носителей мала по сравнению с концентрацией основных носителей;
4) процессами генерации и рекомбинации в области пространственного заряда можно пренебречь (переход является тонким, то есть толщина области пространственного заряда много меньше диффузионной длины).
ОГЛАВЛЕНИЕ.
Введение
Глава 1. Полупроводниковые диоды
Глава 2. Биполярные транзисторы
Глава 3. Тиристоры и другие многослойные структуры
Глава 4. Полевые транзисторы
Глава 5. Приборы с зарядовой связью
Глава 7. Оптоэлектронные приборы
Приложение
Список литературы
Предметный указатель
Скачать pdf
Ниже можно купить эту книгу по лучшей цене со скидкой с доставкой по всей России. Купить эту книгу
Степаненко И.П. Основы микроэлектроники
Степаненко И.П. Основы микроэлектроники
Предисловие
Со времени выхода в свет первого издания учебного пособия для студентов вузов «Основы микроэлектроники» прошло почти двадцать лет. За эти годы труд Игоря Павловича Степаненко, скончавшегося в 1982 г., оказал добрую помощь нескольким поколениям выпускников русскоязычных вузов и студентам, осваивавшим основы микроэлектроники на английском и испанском языках. К сожалению, в настоящее время книга И.П. Степаненко стала библиографической редкостью.¶
И.П. Степаненко справедливо считал, что инженеру-физику, специализирующемуся по микроэлектронике, необходимо свободно ориентироваться в трех ее базовых составляющих: физических, технологических и схемотехнических основах микроэлектронных приборов и структур.¶
Методология изложения и фактический материал «Основ микроэлектроники» бережно сохранены в новом издании, поэтому мы считаем И. П. Степаненко основным автором книги. Настоящее издание подготовлено учениками и соратниками И.П. Степаненко, создавшего в 1965 г. в МИФИ первую в СССР кафедру микроэлектроники. Естественно, что данное издание – не простое повторение материала прошлых лет. В учебное пособие включены новые фундаментальные достижения в области микроэлектроники, используемые сейчас на практике.¶
В настоящем издании авторы старались учесть новые веяния в организации учебного процесса, в частности, свободное посещение студентами лекций. Так, в конце каждого раздела приведены контрольные вопросы для самостоятельной проработки.¶